大功率SiC芯片SBD
芯片:国产SiC同质衬底芯片
封装形式:TO-220,TO-220F
FVRRF=650 V; IF=25A;
封装热阻:0.32℃/W
执行标准:
AEC-Q101; Ⅰ级
大功率SiC芯片SBD芯片:国产SiC同质衬底芯片封装形式:TO-220,TO-220FFVRRF=650V; IF=25A;封装热阻:0.32℃/W执行标准:AEC-Q101;Ⅰ级...
所属分类:封测产品
文章编辑:eutectic
发布时间:2020-11-09
大功率SiC芯片SBD
芯片:国产SiC同质衬底芯片
封装形式:TO-220,TO-220F
FVRRF=650 V; IF=25A;
封装热阻:0.32℃/W
执行标准:
AEC-Q101; Ⅰ级