本企业是中国半导体协会CSIA，中国第三代半导体产业技术战略联盟CASA,中国功率半导体技术与创新联盟IGBT，深圳半导体产业发展促进会SZSA成员企业；成立十几年来，秉承以技术和工艺创新实现大功率半导体器件封装行业前沿技术工程化，产业化为宗旨；以核心技术自主创新为基础整合国内优势技术资源，累计投入研发资金近千万元，构建了从关键原材料到核心技术开发，工艺装备研制的系统技术体系。对标国际先进标准（AEC-Q101），形成了具有自主知识产权的一至三代跨代际大功率国产半导体芯片器件低热阻封装的工程体系；先后完成,
1，异质衬底GaN大功率LED,SBD,HEMT半导体芯片器件封装；
2，同质衬底SiC大功率SBD, MOSFET半导体芯片器件封装；
3, Si基大功率FRD,MOSFET，超结MOSFET半导体芯片器件封装；
4, Si基大功率IGBT半导体芯片器件封装；
5，压接式双面散热Si基大功率IGBT分立器件及模块化器件封装；的核心技术开发，工艺装备研制的系统技术体系的建立并批量试产；封装器件可靠性均通过第三方权威机构检测，达到国际同行业领先水平（AEC-Q101,Ⅰ,Ⅱ,级）。
本公司拥有多项国家专利，具有自主知识产权的系统技术工艺平台颠覆了常规的封测技术理念。即创新的封测技术应具有：对芯片及外延片的工艺和制程的优化具备弥补技术短板的功能。
本公司为国内1-3代大功率半导体芯片设计制造企业提供，要求达到AEC-Q101,Ⅰ,Ⅱ,级标准的高阶大功率半导体分立器件封装服务；为改变我国高阶大功率半导体器件受制于人的局面，从性价比优势层面上实现替代进口全面国产化奠定了坚实的技术和工艺基础。
2006公司成立
2010共晶真空压接焊机及表面贴装式LED精密支架项目完成。
2012构建大功率半导体器件低热阻共晶封装技术工业化应用平台。
2016大功率光源器件通过LM-80标准10000小时检测，成为全球第二家达到DLC4.0技术规范标准的LED光源器件产品的生产企业。
2018国产同质衬底SIC大功率半导体芯片器件封装成功。达到AEC-Q101 Ⅰ级标准。
2019国产大功率MOSFET、压接型双面散热IGBT半导体芯片器件封装成功。达到AEC-Q101 Ⅰ级标准。
