大功率MOSFET
芯片：国产Si基芯片；
VDS=100 V; ID=25A;
封装形式：TO-252;
封装热阻：3.2℃/W;
执行标准：
AEC-Q101;Ⅰ级
大功率MOSFET
大功率MOSFET芯片：国产Si基芯片；VDS=100V;ID=25A;封装形式：TO-252; 封装热阻：3.2℃/W;执行标准：AEC-Q101;Ⅰ级...
所属分类：封测产品
文章编辑：eutectic
发布时间：2020-11-09
