大功率LED光源器件
芯片:异质衬底GaN;
功率密度:3W/m㎡;
封装热阻:2.1℃/W;
执行标准:
AEC-Q101; Ⅱ级.
LM-80,
DLC-4.0技术规范;
大功率LED光源器件芯片:异质衬底GaN;功率密度:3W/m㎡;封装热阻:2.1℃/W;执行标准:AEC-Q101;Ⅱ级. LM-80, DLC-4.0技术规范;...
所属分类:封测产品
文章编辑:eutectic
发布时间:2020-11-09
大功率LED光源器件
芯片:异质衬底GaN;
功率密度:3W/m㎡;
封装热阻:2.1℃/W;
执行标准:
AEC-Q101; Ⅱ级.
LM-80,
DLC-4.0技术规范;